Silicon carbide (SiC) provides considerable technical advantages for power electronics – however, the costs are still a drawback. In the »ThinSiCPower« research project, a consortium of Fraunhofer Institutes is developing […]
Autor: Firma Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Dünne Chips und robuste Substrate – Schlüsseltechnologien für eine kosteneffiziente Siliziumkarbid-Leistungselektronik
Siliziumkarbid bietet für die Leistungselektronik erhebliche technische Vorzüge – ein Nachteil sind nach wie vor die Kosten. Im Forschungsprojekt »ThinSiCPower« entwickelt ein Konsortium von Fraunhofer-Instituten Schlüsseltechnologien, mit denen Materialverbrauch und […]
Supply chain for power electronic devices based on novel semiconductor material aluminum nitride – made in Germany
Electromobility, energy supply, automation, and broadband communication – especially in the light of digital transformation and climate change – are opening up new opportunities for European research to take lead […]
The Perfect Match – (U)WBG Semiconductors and Information Technology are Revolutionizing Power Electronics
Wide-bandgap (WBG) semiconductor technology and artificial intelligence together are revolutionizing power electronics. A new class of intelligent power electronic systems is unlocking new performance and application areas. The high demands […]
Bundesweiter Schulwettbewerb »Wer züchtet den schönsten Kristall?« – Das sind die Gewinner im Schuljahr 2023/2024!
Im 3. bundesweiten Schulwettbewerb »Wer züchtet den schönsten Kristall?« stand die Fachjury des Fraunhofer IISB vor der Qual der Wahl: Über 2500 Schülerinnen und Schüler von 150 Schulen aus ganz […]
Konsortialprojekt BALU entwickelt Fertigungstechnologien für preisgünstige und sichere Aluminium-Ionen-Batterien
Im Verbundprojekt »BALU – Fertigungstechnologie für Batteriezellkonzepte auf Basis der Aluminium-Ionen-Technologie« entwickelt ein Konsortium aus Forschungseinrichtungen und spezialisierten Industrieunternehmen die Aluminium-Graphit-Dual-Ionen-Batterie (AGDIB) weiter. Aufgrund der hohen Leistungsdichte besitzt die AGDIB-Technologie […]
Schulkinder für Wissenschaft begeistern: Kristallprojekt mit dem Fraunhofer IISB an der Montessori Schule Herzogenaurach
Schülerinnen und Schüler der Montessori Schule Herzogenaurach begeben sich auf eine spannende Reise in die Welt der Kristalle. Gemeinsam mit dem Fraunhofer IISB in Erlangen veranstaltet die Schule im Rahmen […]
Unique X-ray Topography Based Defect Characterization for SiC Wafers Honored with Georg Waeber Innovation Award 2023
A cross-organizational team from Rigaku SE and Fraunhofer IISB has established a new semiconductor material characterization method in their jointly operated Center of Expertise for X-ray Topography in Erlangen, Germany. […]
Charakterisierungsverfahren für SiC-Wafer mittels Röntgentopographie mit Georg-Waeber-Innovationspreis 2023 ausgezeichnet
Ein Forschungsteam der Rigaku SE und des Fraunhofer IISB hat gemeinsam eine einzigartige, industrietaugliche Charakterisierungsmethode für Halbleitermaterialien realisiert. Dabei wurde erstmalig der Aufbau des Röntgentopographiesystems mit der Entwicklung entsprechender Algorithmen […]
Weltraumtaugliche Sensortechnologie mit Siliziumkarbid: UV-Dioden auf Mars-Mission
Geht es um besonders verlustarme Halbleiterbauelemente und hocheffiziente Leistungselektronik, führt heute kein Weg mehr vorbei an Siliziumkarbid (SiC). Das Wide-Bandgap-Halbleitermaterial SiC ist dem konventionellen Silizium in vielen Belangen überlegen und […]