With the 3rd evolution of its 700V C4 Mosfet WAYON achieves a further reduction of the RDS(ON) per chip area and a reduction of the gate charge to reach one step further to higher power density and improved switching performance. The low RDS(ON) is resulting in higher system efficiency because of lower conduction losses especially for application running under full load and light input voltage. Compared to the previous part generation the optimized gate charge QG leads into a significant improvement of the dynamic performance of the devices regarding switching losses and driving power.
The current portfolio is including parts with 700V blocking voltages and channel resistances reaching from 0.3 Ω to 1.14 Ω in standard SMD- and THT housings. The C4 Mosfet family will be expanded with further voltage classes and housing variants in future.
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WAYON Electronics, Hersteller von Überspannungsschutzkomponenten und Leistungstransistoren mit Sitz in Shanghai stellt seine neue C4 SuperJunction Mosfet Familie vor. Mit der dritten Entwicklungsstufe seiner 700V C4 Mosfets konnte WAYON durch die Reduzierung des RDS(ON) pro Flächeneinheit und die Reduktion der Gate-Ladung einen weiteren Schritt in Richtung höherer Leistungsdichte und verbesserter Schaltperformance gehen. Aus dem niedrigen RDS(ON) resultieren reduzierte Leitendverluste und höhere Effizienzwerte, insbesondere bei Anwendungen, die bei niedrigen Eingangsspannungen in Volllast betrieben werden. Durch die Optimierung der Gate-Ladung QG konnte die dynamische Leistungscharakteristik hinsichtlich Schaltverlusten und Ansteuerleistung gegenüber der Vorgängergeneration ebenfalls signifikant verbessert werden. Derzeit umfasst das Portfolio Sperrspannungen von 700V mit Kanalwiderständen von 0,3 Ω bis 1, 14 Ω in SMD- und THT-Industriestandardgehäusen. Die C4 Mosfet Familie wird in Zukunft mit weiteren Spannungsklassen und Gehäusevarianten ausgebaut.
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